"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов P+ в кремний
Качурин Г.А.1, Тысченко И.Е.1, Мажирин А.П.1, Федина Л.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Ионы Р+ с энергией 100 кэВ внедрялись в p-Si дозами 3· 1013/ 1016 см-2 при плотности ионного тока ~ 1 мкА/см2 и температурах подложки Ti=600/ 1100oC. С помощью холловских измерений, просвечивающей электронной микроскопии и измерений прямых токов через p-n-переходы изучены свойства формирующихся n-слоев в сравнении с данными по имплантации с последующим отжигом при равных температурах. Для обоих видов нагрева наклон кривых электрической активации фосфора стремится вблизи 900oC к величинам, характерным для диффузионных процессов (~ 4/ 5 эВ). При более низких температурах различия в активации обусловлены подавлением при "горячем" внедрении низкотемпературных форм накопления дефектов. Высокотемпературная имплантация приводит к значительной (до ~ 2 мкм) радиационно-ускоренной диффузии (РУД) фосфора. При всех Ti>600oC проникающий вглубь за счет РУД фосфор полностью электрически активен. Ускорение обусловлено генерацией избыточных подвижных точечных дефектов, квазиравновесная концентрация которых, по данным РУД и по скорости роста междоузельных дислокационных петель, близка к ~ 1013 см-3. Рост Ti препятствует накоплению дефектов, поэтому горячая имплантация дает структурно более совершенные n-слои, чем соответствующий постимплантационный отжиг. В области p-n-переходов дополнительных центров рекомбинации, связанных с высокотемпературным внедрением, не обнаружено.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.