"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью --- висмутом и акцепторной примесью --- цинком
Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Новиков С.В., Шелковников Д.Н.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.