Исследовано влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в чистых структурно совершенных эпитаксиальных пленках GaAs. По мере нарастания деструкции сопротивление образцов монотонно увеличивается. При увеличении сопротивления в ~1.5 раза (R/R₀ ~ 1.5) уровень шума типа 1/f в области частот ~ 10/ 100 Гц увеличивается на порядок, при R/R₀ >~= 2/ 2.5 - на 2 порядка. Величина подвижности, измеренная методом геометрического магнитосопротивления при этих уровнях деструкции, остается неизменной при 300 К и даже несколько увеличивается (за счет ослабления влияния контактного сопротивления) при 77 К. Природа шума 1/f в подвергнувшихся деструкции образцах остается той же, что и в исходных, и описывается моделью, в которой шум 1/f возникает вследствие флуктуации заселенности хвоста плотности состояний вблизи края запрещенной зоны. По мере нарастания уровня деструкции фоточувствительность GaAs монотонно возрастает. Положение максимума на зависимости Deltasigma(lambda) (Deltasigma - изменение проводимости, lambda - длина волны света) не меняется. Уровень фоточувствительности сильно возрастает с понижением температуры, что свидетельствует о появлении под воздействием деструкции выраженного потенциального рельефа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.