Вышедшие номера
Комбинационное рассеяние света фотоиндуцированной плазмой в двойных гетероструктурах
Решина И.И.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Исследовано комбинационное рассеяние света плазмон-фононной (ПФ) модой фотоиндуцированной электрон-дырочной плазмы в двойных гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs и Ga1-xInxAs1-yPy/Ga0.5In0.5P, полученных различными методами. Измерялись частота и уширение ПФ пика в зависимости от интенсивности накачки. По спектрам люминесценция определялась температура носителей. Проведен расчет спектров КРС от двухкомпонентной плазмы при разных концентрациях и температурах носителей. Результаты расчета для некоторых структур хорошо согласуются с экспериментальными, что позволяет определять концентрацию фотоиндуцированных носителей. Однако в ряде случаев экспериментальные данные существенно отличаются от расчетных: увеличение накачки не приводит к изменению частоты ПФ пика, вызывая только его уширение. Высказано предположение, подкрепленное модельным расчетом, что такое аномальное поведение может быть связано с неоднородностью плазмы по концентрации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.