Исследовано комбинационное рассеяние света плазмон-фононной (ПФ) модой фотоиндуцированной электрон-дырочной плазмы в двойных гетероструктурах GaAs/Al_xGa_1-xAs и Ga_1-xIn_xAs_1-yP_y/Ga_0.5In_0.5P, полученных различными методами. Измерялись частота и уширение ПФ пика в зависимости от интенсивности накачки. По спектрам люминесценция определялась температура носителей. Проведен расчет спектров КРС от двухкомпонентной плазмы при разных концентрациях и температурах носителей. Результаты расчета для некоторых структур хорошо согласуются с экспериментальными, что позволяет определять концентрацию фотоиндуцированных носителей. Однако в ряде случаев экспериментальные данные существенно отличаются от расчетных: увеличение накачки не приводит к изменению частоты ПФ пика, вызывая только его уширение. Высказано предположение, подкрепленное модельным расчетом, что такое аномальное поведение может быть связано с неоднородностью плазмы по концентрации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.