"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двухфононные процессы и межзонные переходы в магнитофононном резонансе дырок в InSb
Шерегий Е.М., Угрин Ю.О.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

Для интерпретации сложной структуры осцилляции поперечного магнитосопротивления p-InSb в направлениях [111] и [011] определены параметры валентной зоны при T=77 K: gamma1=33.2, gamma2=14.8, gamma3=15.5, k=13.4. Наряду с магнитофононным резонансом легких и тяжелее дырок обнаружены двухфононный резонанс и пики, обусловленные переходами между уровнями Ландау зон легких и тяжелых дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.