Исследовалось поведение изгиба зон в полупроводнике при формировании омического контакта в системе Ga-GaAs (110). Использовался арсенид галлия n- и p-типа проводимости разного уровня легирования. Диагностика изгиба зон осуществлялась с помощью поляризационных спектров отражения поверхностей (110), которые регистрировались после отжига структур Ga-GaAs при различных температурах и последующего удаления металла. При термообработке часть полупроводника растворяется в жидком галлии и рекристаллизуется в неупорядоченный слой при высокой скорости охлаждения. Анализ полученных спектров показывает, что величина изгиба зон в кристаллически совершенном полупроводнике под неупорядоченным слоем зависит от толщины последнего. Установлено, что в легированном GaAs при толщинах неупорядоченного слоя ~ 0.1 ширины области объемного заряда эта величина значительно уменьшается, что способствует возникновению омического контакта. Обнаруженные явления на качественном уровне соответствуют модели омического контакта, основанной на существовании между металлом и полупроводником сильно неупорядоченного или аморфного слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.