"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с 2МЭГ
Воробьева В.В., Крещук А.М., Макарова Т.Л., Новиков С.В., Погребицкий К.Ю., Савельев И.Г.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

Разработана комплексная неразрушающая методика исследования переходной области, на гетерогранице, включающая в себя метод отношения разностей фотоэмиссии электронов на скачках рентгеновского поглощения, метод эллипсометрической микроскопии, а также метод, связанный с изучением отрицательного магнитосопротивления двумерного электронного газа (2МЭГ) на гетерогранице в магнитном поле, перпендикулярном и параллельном гетерогранице. Проведена апробация этой методики на примере исследования гетероструктур InGaAs/InP с 2МЭГ, выращенных жидкофазной эпитаксией. В результате установлено, что общая толщина переходной области на гетерогранице составляет 120 Angstrem, из них 80 Angstrem - крупномасштабные (100 мкм) флуктуации толщины верхнего слоя, 7-10 Angstrem - мелкомасштабные (<0.2 мкм) пространственные флуктуации гетерограницы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.