Методом рентгеноструктурного анализа исследовано влияние импульсного лазерного излучения на структуру кристаллов GaAs. Показано, что модифицированный слой составляет (20-30) мкм, в его тонком приповерхностном слое обнаруживаются выделения Ga, а в глубине - фазы с поликристаллическим и монокристаллическим состояниями GaAs. Выделение Ga в тонком приповерхностном слое свидетельствует о разложении соединений и возгонке As. В результате этого в слое модицифированного кристалла возможно отклонение состава от стехиометрического.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.