Предложена количественная модель кинетики формирования точечных радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах, учитывающая диффузию, дрейф подвижных многозарядных компонентов пар Френкеля, а также процессы формирования стабильных комплексов. Показано, что вариация условий электронного облучения существенно влияет на профили концентрации дефектов в структуре и это должно учитываться при прогнозировании изменения электрофизических параметров диода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.