"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Двухфотонное поглощение в многоямной квантовой структуре GaAs/Ga 1-xAlxAs
Аветисян С.К.1, Меликян А.О.1, Минасян Г.Р.1
1Армянский государственныый инженерный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 22 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Теоретически рассмотрено двухфотонное поглощение в широкобарьерной гетероструктуре GaAs/Ga1-xAlxAs (x=<0.35) и проведено сравнение с экспериментом. В расчетах учтены реальная зонная структура материалов ямы и барьера, а также конечность энергетических скачков Delta Ec, Delta Ev для потенциала гетероструктуры. В случае поляризации e|| z дано отличное от работы [1] объяснение отсутствия поглощения в яме, основанное на учете конечности глубины потенциальной ямы. Предложен эксперимент, позволяющий для рассмотренных структур из приведенных в литературе значений отношения Delta Ec/Delta Ev выбирать наиболее близкое к действительному значение.
  1. H.N. Spector. Phys. Rev. B, 35, 5876 (1987)
  2. A. Pasquarello, A. Quattropani. Phys. Rev. B, 38, 6206 (1988)
  3. K. Tai, A. Mysyrowicz, R.J. Fisherm, R.E. Slusher, A.Y. Cho. Phys. Rev. Lett., 62, 1784 (1989)
  4. М.А. Хармен. Полупроводниковые сверхрешетки (М., Мир, 1989)
  5. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  6. Е.Л. Ивченко. ФТТ, 14, 3489 (1972)
  7. С.Б. Арифжанов, Е.Л. Ивченко. ФТТ, 17, 81 (1975)
  8. P. Voisin, G. Bastard, M. Voss. Phys. Rev. B, 29, 935 (1984)
  9. R.C. Miller, P.A. Kleinman, A.C. Gossard. Phys. Rev. B, 32, 7085 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.