"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства МДП структуры с пленкой магнитного полупроводника в качестве изолятора
Кабанов В.Ф.1, Свердлова А.М.1, Коротков Д.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Рассмотрено поведение емкости структуры металл-диэлектрик-полупроводник с пленкой магнитного полупроводника Eu1-xSmxO в качестве изолятора в зависимости от постоянного магнитного поля и освещения при T=77 K. Увеличение емкости при освещении и ее уменьшение в магнитном поле обсуждается с точки зрения соотношения процессов генерации свободных носителей заряда в пленке и в приповерхностной области полупроводника, а также их оттока через диэлектрик при определенных условиях.
  1. В.Ю. Буров, Л.А. Отавина, А.М. Свердлова. Поверхность, N 1, 155 (1990)
  2. В.Ю. Буров, А.М. Свердлова, Л.Д. Финкельштейн, Н.Н. Ефремова. Поверхность, N 1, 124 (1992)
  3. В.Ф. Кабанов. ФТП, 26, 1837 (1992)
  4. В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова. ФТП, 27, 1340 (1993)
  5. Ю.Д. Думаревский, Н.Ф. Ковтонюк, А.И. Савин. \it Преобразование изображений в структурах полупроводник--диэлектрик (М., Наука, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.