Вышедшие номера
Фотодиоды на основе твердых растворов InAs 1- xSb x для спектрального диапазона 3--5 мкм
Михайлова М.П.1, Стусь Н.М.1, Слободчиков С.В.1, Зотова Н.В.1, Матвеев Б.А.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Фотодиодные структуры на основе твердых растворов InAs1-xSbx (x=0.12-0.14) были выращены жидкофазной эпитаксией на подложке InAs (111) с рассогласованием решеток Delta a/a=< 1 %. Спектральная чувствительность, вольт-амперные характеристики, дифференциальное сопротивление R0 и детектирующая способность D* были исследованы в температурном диапазоне 77-300 K. Шумы фотодиодов были рассчитаны и сравнены с экспериментом; показано, что генерационно-рекомбинационный шум преобладает в интервале температур 77-200 K. Достигнуто высокое значение детектирующей способности в масимуме спектра D*lambda=3· 1011 см· Гц1/2/Вт при lambda=3.8 мкм (77 K) и D*lambda=5· 109 см· Гц1/2/Вт при lambda=4.35 мкм (200 K).