"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиоды на основе твердых растворов InAs 1- xSb x для спектрального диапазона 3--5 мкм
Михайлова М.П.1, Стусь Н.М.1, Слободчиков С.В.1, Зотова Н.В.1, Матвеев Б.А.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Фотодиодные структуры на основе твердых растворов InAs1-xSbx (x=0.12-0.14) были выращены жидкофазной эпитаксией на подложке InAs (111) с рассогласованием решеток Delta a/a=< 1 %. Спектральная чувствительность, вольт-амперные характеристики, дифференциальное сопротивление R0 и детектирующая способность D* были исследованы в температурном диапазоне 77--300 K. Шумы фотодиодов были рассчитаны и сравнены с экспериментом; показано, что генерационно-рекомбинационный шум преобладает в интервале температур 77--200 K. Достигнуто высокое значение детектирующей способности в масимуме спектра D*lambda=3· 1011 см· Гц1/2/Вт при lambda=3.8 мкм (77 K) и D*lambda=5· 109 см· Гц1/2/Вт при lambda=4.35 мкм (200 K).
  1. D.T. Cheung, A.M. Andrews, E.R. Gerther, G.M. Williams, J.E. Clark, J.G. Pasko, J.T. Longo. Appl. Phys. Lett., 30, 587 (1977)
  2. Б.А. Матвеев, М.П. Михайлова, С.В. Слободчиков, Н.Н. Смирнова, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 13, 498 (1979)
  3. L.O. Bulubak, A.M. Andrews, E.R. Gerther, D.T. Cheung. Appl. Phys. Lett., 36, 734 (1980)
  4. J.L. Zuskind, A.K. Srivastava, J.C. De Winter, M.A. Pollak, J.W. Sulhoff. Appl. Phys. Lett., 61, 2898 (1987)
  5. W. Dobbelaere, J. De Bopeck, P. Heremans, R. Meretens, G. Borghs, W. Luyten, J. Van Landyt. Appl. Phys. Lett., 60, 3256 (1992)
  6. M.J. Jen, R. People, K.W. Wecht, A.J. Cho. Appl. Phys. Lett., 52, 489 (1988)
  7. S.R. Kurtz, L.R. Dawson, T.E. Zipperman, S.R. Lee. Appl. Phys. Lett., 52, 1581 (1988)
  8. M. Aidaraliev, N.V. Zolova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Phys. St. Sol. (a), 115, k117 (1989)
  9. M. Aidaraliev, N.V. Zolova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1575 (1993)
  10. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 248 (1994)
  11. J.H. Park, L.S. Rothman, C.P. Rinslabd, H.M.Pickett, D.J. Richardson, J.S. Namkung. \it Atlas of Absorption Lines from 0 to 17900 cm-=SUP=--1-=/SUP=-(NASA Reference Publication, 1987) p. 188
  12. J.C. Woolley, J. Warner. Can. J. Phys., 46, 1207 (1968)
  13. Л.З. Криксунов. \it Справочник по основам инфракрасной техники. (М., Сов. радио, 1978)
  14. Д.Э. Джэмисон, Р.Х. Мак-Фи, Дж.Н. Пласс, Р.Дж. Ричардс. \it Физика и техника инфракрасного излучения. [Пер. с англ.,] (М., Сов. радио, 1965) с. 386
  15. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлева. ЖТФ, 16, 27 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.