"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель накопления фосфора в приповерхностной области кремния
Александров О.В.1, Афонин Н.Н.1
1Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Разработана количественная модель процесса накопления фосфора в приповерхностной области кремния при термоотжиге. Модель учитывает миграцию подвижных диффузионных компонент (вакансий и E-центров) к поверхности под действием поверхностного потенциала и комплексообразование при высокой концентрации примеси. Модель количественно описывает экспериментальную зависимость относительной высоты приповерхностного пика концентрации от объемной концентрации примеси.
  1. N.J. Chow, Y.J. Van Der Meulen, R. Hammer, J. Cahill. Appl. Phys. Lett., 24, 200 (1974)
  2. S.A. Schwarz, C.R. Helms, W.R. Spicer, N.J. Taylor. J. Vac. Sci. Technol., 15, 227 (1978)
  3. S.A. Schwarz, R.W. Barton, C.P. Ho, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 128, 1101 (1981)
  4. J.S. Johannessen, W.E. Spicer, J.F. Gibbons, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 49, 4453 (1978)
  5. T. Kimura, M. Hirose, Y. Osaka. J. Appl. Phys., 56, 932 (1984)
  6. О.В. Александров, Н.Н. Афонин, А.П. Коварский. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, N 4 (241), 73 (1989)
  7. О.В. Александров, Н.Н. Афонин. Изв. вузов. Физика, N 12, 97 (1990)
  8. R.A. Johnson, P.J. White. Phys. Rev. B, 18, 2939 (1978)
  9. О.В. Александров, Н.В. Ашкинадзе, Р.З. Тумаров. ФТТ, 26, 632 (1984)
  10. M. Yoshida. J. Appl. Phys., 45, 1498 (1974)
  11. D. Mathiot, J.C. Pfister. Appl. Phys. Lett., 47, 962 (1985)
  12. R.N. Ghoshtagore. Sol. St. Electron., 15, 1113 (1972)
  13. А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1977)
  14. T. Kato, Y. Nishi. Jpn. J. Appl. Phys., 3, 377 (1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.