"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg1- xCd xTe, облученных ионами водорода с энергией 10 МэВ
Войцеховский А.В.1, Коротаев А.Г.1, Коханенко А.П.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 11 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Проведено исследование процесса радиационного дефектообразования в кристаллах Hg1-xCdxTe (x=0.3) при облучении протонами с энергией 10 МэВ дозами до 1015 см-2 при комнатной температуре. Определены профили распределения электрически активных дефектов. Дефекты вакансионного типа изучались при помощи метода позитронной аннигиляции.
  1. A.V. Voitsekhovskii, Yu.V. Lilenko, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Rad. Eff., 61, 79 (1982)
  2. А.В. Войцеховский, Е.М. Кирюшкин, А.П. Коханенко, К.Р. Курбанов, Ю.В. Лиленко, К.В. Шастов, А.П. Мамонтов, В.А. Коротченко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24, 579 (1988)
  3. Ю.В. Лиленко, К.В. Шастов, Н.В. Кузнецов. ФТП, 20, 1907 (1986)
  4. А.С. Петров, В.С. Куликаускас, Ю.В. Лиленко, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский и др. Изв. вузов СССР. Физика, N 12, 83 (1988)
  5. Ю.В. Булгаков, В.А. Зарицкая, Н.В. Кузнецов. Поверхность. Физика, химия, механика, 2, 90 (1990)
  6. A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Phys. St. Sol. (a), 90, 241 (1986)
  7. А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, Ю.В. Лиленко, А.Д. Погребняк, Ш.М. Рузимов, Р.Д. Бабаджанов. ФТП, 20, 815 (1986)
  8. A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Cryst. Res. Techol., 23, 237 (1988)
  9. C.D. Smith, P. Rice-Evans, N. Shaw. Phys. Rev. Lett., 72, 1108 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.