Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg1- xCd xTe, облученных ионами водорода с энергией 10 МэВ
Войцеховский А.В.1, Коротаев А.Г.1, Коханенко А.П.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 11 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
Проведено исследование процесса радиационного дефектообразования в кристаллах Hg1-xCdxTe (x=0.3) при облучении протонами с энергией 10 МэВ дозами до 1015 см-2 при комнатной температуре. Определены профили распределения электрически активных дефектов. Дефекты вакансионного типа изучались при помощи метода позитронной аннигиляции.
- A.V. Voitsekhovskii, Yu.V. Lilenko, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Rad. Eff., 61, 79 (1982)
- А.В. Войцеховский, Е.М. Кирюшкин, А.П. Коханенко, К.Р. Курбанов, Ю.В. Лиленко, К.В. Шастов, А.П. Мамонтов, В.А. Коротченко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24, 579 (1988)
- Ю.В. Лиленко, К.В. Шастов, Н.В. Кузнецов. ФТП, 20, 1907 (1986)
- А.С. Петров, В.С. Куликаускас, Ю.В. Лиленко, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский и др. Изв. вузов СССР. Физика, N 12, 83 (1988)
- Ю.В. Булгаков, В.А. Зарицкая, Н.В. Кузнецов. Поверхность. Физика, химия, механика, 2, 90 (1990)
- A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Phys. St. Sol. (a), 90, 241 (1986)
- А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, Ю.В. Лиленко, А.Д. Погребняк, Ш.М. Рузимов, Р.Д. Бабаджанов. ФТП, 20, 815 (1986)
- A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Cryst. Res. Techol., 23, 237 (1988)
- C.D. Smith, P. Rice-Evans, N. Shaw. Phys. Rev. Lett., 72, 1108 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
