Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg_{1- x}Cd_xTe, облученных ионами водорода с энергией 10 МэВ

Войцеховский А.В.¹, Коротаев А.Г.¹, Коханенко А.П.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 мая 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование процесса радиационного дефектообразования в кристаллах Hg_1-xCd_xTe (x=0.3) при облучении протонами с энергией 10 МэВ дозами до 10¹⁵ см^-2 при комнатной температуре. Определены профили распределения электрически активных дефектов. Дефекты вакансионного типа изучались при помощи метода позитронной аннигиляции.

A.V. Voitsekhovskii, Yu.V. Lilenko, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Rad. Eff., 61, 79 (1982)
А.В. Войцеховский, Е.М. Кирюшкин, А.П. Коханенко, К.Р. Курбанов, Ю.В. Лиленко, К.В. Шастов, А.П. Мамонтов, В.А. Коротченко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24, 579 (1988)
Ю.В. Лиленко, К.В. Шастов, Н.В. Кузнецов. ФТП, 20, 1907 (1986)
А.С. Петров, В.С. Куликаускас, Ю.В. Лиленко, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский и др. Изв. вузов СССР. Физика, N 12, 83 (1988)
Ю.В. Булгаков, В.А. Зарицкая, Н.В. Кузнецов. Поверхность. Физика, химия, механика, 2, 90 (1990)
A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Phys. St. Sol. (a), 90, 241 (1986)
А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, Ю.В. Лиленко, А.Д. Погребняк, Ш.М. Рузимов, Р.Д. Бабаджанов. ФТП, 20, 815 (1986)
A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, A.S. Petrov. Cryst. Res. Techol., 23, 237 (1988)
C.D. Smith, P. Rice-Evans, N. Shaw. Phys. Rev. Lett., 72, 1108 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель