Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-лучевой эпитаксии GaN

Дроздов С.В.¹, Кипшидзе Г.Д.¹, Лебедев В.Б.¹, Новиков С.В.¹, Шаронова Л.В.¹, Шик А.Я.¹, Жмерик В.Н.¹, Кузнецов В.М.¹, Андрианов А.В.¹, Гуревич А.М.¹, Зиновьев Н.Н.¹, Foxon C.T.¹, Cheng T.S.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 января 1996 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены первые результаты по эпитаксиальному росту слоев GaN на подложках GaAs (100) при использовании модифицированной установки молекулярно-лучевой эпитаксии с источником плазменно-активированного азота типа обращенного магнетрона постоянного тока. Принцип действия источника основан на ионизации и активации нейтрального газа в разряде низкого давления на постоянном токе в скрещенных электрическом (до 4 кВ/см) и магнитном (до 0.1 Тл) полях.

S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
R.B. Davis. IEEE Proc., 79, 702 (1991)
С.Д. Гришин, Л.В. Лесков, Н.П. Козлов. \it Плазменные ускорители (М., Машиностроение, 1983)
Н.А. Кервалишвили, А.В. Жаринов. ЖТФ, 25, 2194 (1965)
V.M. Kuznetsov, V.N. Jmerik, S.N. Domrachev. In: \it Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1993) p. 114
C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.E. Lacklison, L.C. Jenkins, D. Johnston, J.W. Orton, S.E. Hooper, N. Baba-Ali, T.L. Tansley, V.V. Tret'yakov. J. Cryst. Growth, 150, 892 (1995)
N.N. Zinov'ev, A.V. Andrianov, B.Y. Averbukh, I.D. Yaroshetskii, T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton. Semicond. Sci. Technol., 10, 1117 (1995)
T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель