"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-лучевой эпитаксии GaN
Дроздов С.В.1, Кипшидзе Г.Д.1, Лебедев В.Б.1, Новиков С.В.1, Шаронова Л.В.1, Шик А.Я.1, Жмерик В.Н.1, Кузнецов В.М.1, Андрианов А.В.1, Гуревич А.М.1, Зиновьев Н.Н.1, Foxon C.T.1, Cheng T.S.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Представлены первые результаты по эпитаксиальному росту слоев GaN на подложках GaAs (100) при использовании модифицированной установки молекулярно-лучевой эпитаксии с источником плазменно-активированного азота типа обращенного магнетрона постоянного тока. Принцип действия источника основан на ионизации и активации нейтрального газа в разряде низкого давления на постоянном токе в скрещенных электрическом (до 4 кВ/см) и магнитном (до 0.1 Тл) полях.
  • S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
  • R.B. Davis. IEEE Proc., 79, 702 (1991)
  • С.Д. Гришин, Л.В. Лесков, Н.П. Козлов. \it Плазменные ускорители (М., Машиностроение, 1983)
  • Н.А. Кервалишвили, А.В. Жаринов. ЖТФ, 25, 2194 (1965)
  • V.M. Kuznetsov, V.N. Jmerik, S.N. Domrachev. In: \it Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1993) p. 114
  • C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.E. Lacklison, L.C. Jenkins, D. Johnston, J.W. Orton, S.E. Hooper, N. Baba-Ali, T.L. Tansley, V.V. Tret'yakov. J. Cryst. Growth, 150, 892 (1995)
  • N.N. Zinov'ev, A.V. Andrianov, B.Y. Averbukh, I.D. Yaroshetskii, T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton. Semicond. Sci. Technol., 10, 1117 (1995)
  • T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.