"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-лучевой эпитаксии GaN
Дроздов С.В.1, Кипшидзе Г.Д.1, Лебедев В.Б.1, Новиков С.В.1, Шаронова Л.В.1, Шик А.Я.1, Жмерик В.Н.1, Кузнецов В.М.1, Андрианов А.В.1, Гуревич А.М.1, Зиновьев Н.Н.1, Foxon C.T.1, Cheng T.S.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Представлены первые результаты по эпитаксиальному росту слоев GaN на подложках GaAs (100) при использовании модифицированной установки молекулярно-лучевой эпитаксии с источником плазменно-активированного азота типа обращенного магнетрона постоянного тока. Принцип действия источника основан на ионизации и активации нейтрального газа в разряде низкого давления на постоянном токе в скрещенных электрическом (до 4 кВ/см) и магнитном (до 0.1 Тл) полях.
  1. S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
  2. R.B. Davis. IEEE Proc., 79, 702 (1991)
  3. С.Д. Гришин, Л.В. Лесков, Н.П. Козлов. \it Плазменные ускорители (М., Машиностроение, 1983)
  4. Н.А. Кервалишвили, А.В. Жаринов. ЖТФ, 25, 2194 (1965)
  5. V.M. Kuznetsov, V.N. Jmerik, S.N. Domrachev. In: \it Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1993) p. 114
  6. C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.E. Lacklison, L.C. Jenkins, D. Johnston, J.W. Orton, S.E. Hooper, N. Baba-Ali, T.L. Tansley, V.V. Tret'yakov. J. Cryst. Growth, 150, 892 (1995)
  7. N.N. Zinov'ev, A.V. Andrianov, B.Y. Averbukh, I.D. Yaroshetskii, T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton. Semicond. Sci. Technol., 10, 1117 (1995)
  8. T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.