"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация и примесно-дефектное взаимодействие в ядерно-легированном арсениде галлия, полученном в различных условиях облучения и роста кристаллов
Быковский В.А.1, Коршунов Ф.П.1, Солодовников Е.С.1, Утенко В.И.1, Шох В.Ф.1
1Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 27 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Исследовалась низкотемпературная (T=4.2 K) фотолюминесценция ядерно-легированных кристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского (HP, LP LEC) и облученных флюенсом тепловых нейтронов Phi=5·1017 см-2 при отношениях потоков тепловых и быстрых нейтронов в диапазоне 10--200. Установлено, что на начальных стадиях отжига облученных кристаллов до T<600oC основной в спектрах люминесценции является полоса излучения с участием трансмутационных акцепторов германия. Остаточные акцепторы углерода в облученных кристаллах взаимодействуют с радиационными дефектами и образуют центры безызлучательной рекомбинации. Распад этих центров и стабилизация интенсивностей краевой и примесной (с участием акцепторов углерода) полос рекомбинационного излучения наблюдаются на заключительной стадии отжига при T=600-700oC. Полученные экспериментальные зависимости интенсивностей краевой и примесной (с участием остаточных (С) и трансмутационных (Ge) акцепторов) полос излучения в процессе отжига кристаллов проанализированы с использованием моделей локализации трансмутационных примесей и примесно-дефектного взаимодействия в облученных кристаллах.
  • \it Neutron Transm. Doping of Semicond. Mater., ed. by R.D. Larrabee (Plenum Press, N.Y., 1984)
  • \it Легирование полупроводников методом ядерных реакций, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1981)
  • В.А. Быковский, В.А. Гирий, Ф.П. Коршунов, В.И. Утенко. ФТП, 23, 78 (1989)
  • Ф.П. Коршунов, Л.М. Карпович, В.И. Утенко, А.В. Фотин, В.Ф. Шох. Изв. АН Белорусии, N 11--12, 982 (1995)
  • В.Н. Вигдорович, Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, В.А. Харченко, Л.П. Холодный, Н.И. Ярмолюк. ФТП, 15, 565 (1981)
  • Н.Г. Колин, Л.В. Куликов, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 15, 565 (1981)
  • \it Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1980)
  • D.I. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White, P.D. Greene. J. Phys. Chem. Sol., 36, 1041 (1975)
  • T.S. Low, M.H. Kim, B. Lee, B.J. Scromme, T.K. Lepkowski, G.E. Stillman. J. Electron. Mater., 14, 477 (1985)
  • Л. Холлан, Дж. Холлейн, Дж. Брайс. В сб.: \it Актуальные проблемы материаловедения (М., 1983) вып. 2, с. 7
  • Н.И. Акулович, А.Г. Ульяшин, В.И. Утенко. \it Тез. докл. XII Всес. конф. по микроэлектронике (Тбилиси, 1987) ч. 1, c. 33
  • В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. \it Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Наука 1975)
  • F. Williams. Phys. St. Sol., 25, 493 (1968)
  • А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  • M.H. Young, A.T. Hunter, R. Baron, O.J. Marsh, H.V. Winston, R.R. Hart. \it Proc. 4th Neutron Transmutation Doping Conference held at National Burean of Standards. Gaithersburg, Maryland (Plenum Press, N.Y., 1984) p. 1
  • M. Satoh, K. Kuriyama, T. Kawakubo. J. Appl. Phys., 67, 3542 (1990)
  • D.V. Lang. In: \it Radiation Effects in Semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser. 31 (Bristol--London, 1977) p. 70
  • Т.И. Кольченко, В.И. Ломако. ФТП, 9, 1757 (1975)
  • K.V. Vaidyanathan, L.A. Watt. In: \it Radiation Effects in Semiconductors (Gordon and Breach, N.Y., 1971) p. 293
  • J.D. Collins, G.A. Gledhill, R.R. Murray, P.S. Nandhra, R.S. Newman. Phys. St. Sol. (b), 151, 469 (1989)
  • В.П. Грибковский. \it Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, 1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.