"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация и примесно-дефектное взаимодействие в ядерно-легированном арсениде галлия, полученном в различных условиях облучения и роста кристаллов
Быковский В.А.1, Коршунов Ф.П.1, Солодовников Е.С.1, Утенко В.И.1, Шох В.Ф.1
1Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 27 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Исследовалась низкотемпературная (T=4.2 K) фотолюминесценция ядерно-легированных кристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского (HP, LP LEC) и облученных флюенсом тепловых нейтронов Phi=5·1017 см-2 при отношениях потоков тепловых и быстрых нейтронов в диапазоне 10--200. Установлено, что на начальных стадиях отжига облученных кристаллов до T<600oC основной в спектрах люминесценции является полоса излучения с участием трансмутационных акцепторов германия. Остаточные акцепторы углерода в облученных кристаллах взаимодействуют с радиационными дефектами и образуют центры безызлучательной рекомбинации. Распад этих центров и стабилизация интенсивностей краевой и примесной (с участием акцепторов углерода) полос рекомбинационного излучения наблюдаются на заключительной стадии отжига при T=600-700oC. Полученные экспериментальные зависимости интенсивностей краевой и примесной (с участием остаточных (С) и трансмутационных (Ge) акцепторов) полос излучения в процессе отжига кристаллов проанализированы с использованием моделей локализации трансмутационных примесей и примесно-дефектного взаимодействия в облученных кристаллах.
  1. \it Neutron Transm. Doping of Semicond. Mater., ed. by R.D. Larrabee (Plenum Press, N.Y., 1984)
  2. \it Легирование полупроводников методом ядерных реакций, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1981)
  3. В.А. Быковский, В.А. Гирий, Ф.П. Коршунов, В.И. Утенко. ФТП, 23, 78 (1989)
  4. Ф.П. Коршунов, Л.М. Карпович, В.И. Утенко, А.В. Фотин, В.Ф. Шох. Изв. АН Белорусии, N 11--12, 982 (1995)
  5. В.Н. Вигдорович, Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, В.А. Харченко, Л.П. Холодный, Н.И. Ярмолюк. ФТП, 15, 565 (1981)
  6. Н.Г. Колин, Л.В. Куликов, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 15, 565 (1981)
  7. \it Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1980)
  8. D.I. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White, P.D. Greene. J. Phys. Chem. Sol., 36, 1041 (1975)
  9. T.S. Low, M.H. Kim, B. Lee, B.J. Scromme, T.K. Lepkowski, G.E. Stillman. J. Electron. Mater., 14, 477 (1985)
  10. Л. Холлан, Дж. Холлейн, Дж. Брайс. В сб.: \it Актуальные проблемы материаловедения (М., 1983) вып. 2, с. 7
  11. Н.И. Акулович, А.Г. Ульяшин, В.И. Утенко. \it Тез. докл. XII Всес. конф. по микроэлектронике (Тбилиси, 1987) ч. 1, c. 33
  12. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. \it Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Наука 1975)
  13. F. Williams. Phys. St. Sol., 25, 493 (1968)
  14. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  15. M.H. Young, A.T. Hunter, R. Baron, O.J. Marsh, H.V. Winston, R.R. Hart. \it Proc. 4th Neutron Transmutation Doping Conference held at National Burean of Standards. Gaithersburg, Maryland (Plenum Press, N.Y., 1984) p. 1
  16. M. Satoh, K. Kuriyama, T. Kawakubo. J. Appl. Phys., 67, 3542 (1990)
  17. D.V. Lang. In: \it Radiation Effects in Semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser. 31 (Bristol--London, 1977) p. 70
  18. Т.И. Кольченко, В.И. Ломако. ФТП, 9, 1757 (1975)
  19. K.V. Vaidyanathan, L.A. Watt. In: \it Radiation Effects in Semiconductors (Gordon and Breach, N.Y., 1971) p. 293
  20. J.D. Collins, G.A. Gledhill, R.R. Murray, P.S. Nandhra, R.S. Newman. Phys. St. Sol. (b), 151, 469 (1989)
  21. В.П. Грибковский. \it Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.