Методика быстрого определения поверхностных параметров планарно-неоднородных МДП структур
Бормонтов Е.Н.1, Головин С.В.1, Котов С.В.1, Лукин С.В.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.
Предложена простая экспериментальная методика определения плотности поверхностных состояний, их сечения захвата с учетом неоднородного распределения поверхностного потенциала в МДП структуре. В отличие от известных методик, основанных на анализе частотных или температурных зависимостей малосигнальной проводимости МДП структур, усредненные значения параметров поверхностных состояний и величина стандартного отклонения флуктуаций поверхностного потенциала рассчитываются по результатам измерения характеристики проводимость-напряжение при фиксированных частоте и температуре.
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. \it Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. \it Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
- P. Muls, G. Declerck, R. Overstraeten. Sol. St. Electron., 20, 911 (1977)
- М.А. Байрамов, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан. ФТП, 23, 2122 (1989)
- E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
- Е.Н. Бормонтов, С.В. Котов, С.В. Лукин, С.В. Головин. ФТП, 29, 646 (1995)
- R.D.S. Yadava. Sol. St. Electron., 33, 127 (1990)
- J.R. Brews. Sol. St. Electron., 26, 711 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
