Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Общие закономерности диффузии примесей в Cd_0.2Hg_0.8Te

Горшков А.В.¹, Бовина Л.А.¹, Стафеев В.И.¹

¹Государственный научный центр Российской Федерации ГП ''НПО Орион'' Москва, Россия

Поступила в редакцию: 31 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом меченых атомов изучена диффузия Na, K, Ca, C, Cr, Fe, Co, Ni в Cd_0.2Hg_0.8Te. Определены основные параметры процесса диффузии. Проведено обобщение экспериментальных результатов по диффузии 17 элементов в соединениях кадмий-ртуть-теллур. Установлена зависимость механизма миграции от размера атомов. Получены эмпирические уравнения для расчета энергии активации E_act и предэкспоненциального множителя (D₀) в выражении для коэффициэнта диффузии D=D₀(-E_act/kT) по характеристикам диффузанта (энтропия плавления, масса атома) и кристалла (постоянная решетки, температура солидуса). Проведенное сравнение экспериментальных и расчетных значений параметров диффузии свидетельствует об их удовлетворительном согласии.

Ф.А. Заитов, Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. \it Матер. III Всес. совещ., "Проблемы физики соединений A^2B^6" (Вильнюс, 1972) т. 1, с. 165
А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин. ФТТ, 25, 2662 (1983)
А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин, И.Н. Петров, И.С. Асатурова. ФТТ, 26, 2960 (1984)
А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20, 1331 (1984)
J.S. Chen, F.A. Kroger, W.L. Ahlgren. In:\it Ext. Abstr. Workshop on Physics and Chemistry of MCT (San Diego, C. A., 1984)
D. Shaw. Phys. St. Sol (a), 89, 173 (1985)
D. Shaw. Phil. Mag. A, 53, 727 (1986)
D. Shaw. J. Cryst. Growth, 86, 778 (1988)
M.F. Sung Tang, D.A. Stevenson. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 544 (1989)
А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин, И.С. Асатурова. ФТТ, 26, 3233 (1984)
Ф. Крегер. \it Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. \it Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, Азернешр, 1984)
А.В. Горшков. Высокочистые вещества, 6, 207 (1989)
Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л, Наука, 1972)
\it Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М, Мир, 1975)
\it Физическое металловедение, под ред. Р. Кана (М., Мир, 1967)
\it Химический энциклопедический словарь (М., Сов. энциклопедия, 1983)
K. Weiser. Phys. Rev., 126, 1427 (1962)
A.Seeger, M.L. Swanson. In:\it Lattice Defects in Semiconductors, ed. by R.R. Hasiqute (University of Tokyo Press., Tokyo, 1968) p. 93
E.A. Secco, R.S.C. Yeo. Canad. J. Chem., 49, 1953 (1971)
R.A. Reynolds, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 30, 139 (1969)
O.P. Agnihotri, C.L. Chohra. Japan. J. Appl. Phys., 18, 317 (1979)
M. Aven, E.L. Kreiger. J. Appl. Phys., 41, 1930 (1970)
H.H. Woodbory. Phys. Rev., 134, A492 (1964)
E.D. Jones. J. Phys. Chem. Sol., 33, 2063 (1972)
D. Shaw. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 17, 4759 (1984)
E. Nebauer. Phys. St. Sol., 29, 269 (1968)
R.C. Whelan, D. Shaw. In: \it II--VI Semiconducting Compounds, ed. by D.G. Thomas (Behjamin, N. Y., 1967) p. 451
P.M. Borsenberger, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 29, 1277 (1968)
S.S. Chern, F.A. Kroger. Phys. St. Sol., 25, 215 (1974)
П.И. Фейчук, О.Э. Панчук, Л.И. Щербак. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 1762 (1979)
H. Kato, S. Takajanagi. Japan. J. Appl. Phys., 2, 250 (1963)
M. Hage-Ali, I.V. Mitchel, J.J. Grob. Thin Sol. Films, 19, 409 (1973)
J. Teramoto. J. Phys. Soc. Jap., 17, 1137 (1962)
P. Gosar. Nuovo Cimento, 31, 781 (1964)
G.F. Nardelli, L. Reatto. Physica, 31, 541 (1965)
C. Wert, C. Zener. Phys. Rev., 76, 1169 (1949)
B.J. Masters, J.M. Fairfield. Appl. Phys. Lett., 8, 280 (1966)
R.F. Peart. Phys. St. Sol., 15, K 119 (1966)
M. Okamura. J. Appl. Phys. Japan., 8, 1440 (1969)
C.S. Fuller, J.A. Ditzenberger. J. Appl. Phys., 27, 544 (1956)
B.J. Masters, J.M. Fairfield. J. Appl. Phys., 40, 2390 (1969)
J.J. Rohan, N.E. Pickering, J. Kennedy. J. Electrochem. Soc., 106, 705 (1959)
C.S. Fuller, J.C. Severiens. Phys. Rev., 96, 21 (1954)
L. Svob. Sol. St. Electron. 10, 991 (1967)
L.C. Luther, W.J. Moore. J. Chem. Phys., 41, 1018 (1964)
W.R. Wilcox, T.J. Lachapelle. J. Appl. Phys., 35, 240 (1964)
С.А. Айвазян, И.С. Енков, Л.Д. Мешалкин. \it Прикладная статистика. Исследование зависимостей (М., Финансы и статистика, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель