Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона
Вейс А.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
При T=300 K исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения в монокристаллах PbTe, имплантированных аргоном с дозами D=1000/2500 мкКл/см2. Результаты для PbTe< Ar+> сопоставлены с ранее полученными данными для PbTe< Zn+>. Показано, что наблюдавшееся в PbTe< Zn+> возрастание оптической ширины запрещенной зоны и энергий оптической перезарядки вакансии халькогена при увеличении D не может быть связано с аморфизацией теллурида свинца. Уточнены значения коэффициента поглощения в PbTe в области края фундаментальной полосы.
- H. Heinrich. \it Proc. Int. Summer School on Narrow-Gap Semiconductors: Physics and Application. Nimes, France, 1979. (Berlin, Springer Verlag, 1980) p. 407
- А.Н. Вейс, З.М. Дашевский, М.П. Руленко. ФТП, 24, 76 (1990)
- А.Н. Вейс, А.Ю. Рыданов, Н.А. Суворова. ФТП, 27, 701 (1993)
- И.А. Драбкин, Л.Я. Морговский, И.В. Нельсон, Ю.И. Равич. ФТП, 6, 1323 (1972)
- Н.С. Беспалова, А.Н. Вейс, З.М. Дашевский. ФТП, 21, 946 (1987)
- Ю.И. Уханов. \it Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- W.W. Scanlon. J. Phys. Chem. Sol., 8, 423 (1959)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук