"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона
Вейс А.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
При T=300 K исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения в монокристаллах PbTe, имплантированных аргоном с дозами D=1000/2500 мкКл/см2. Результаты для PbTe< Ar+> сопоставлены с ранее полученными данными для PbTe< Zn+>. Показано, что наблюдавшееся в PbTe< Zn+> возрастание оптической ширины запрещенной зоны и энергий оптической перезарядки вакансии халькогена при увеличении D не может быть связано с аморфизацией теллурида свинца. Уточнены значения коэффициента поглощения в PbTe в области края фундаментальной полосы.
  1. H. Heinrich. \it Proc. Int. Summer School on Narrow-Gap Semiconductors: Physics and Application. Nimes, France, 1979. (Berlin, Springer Verlag, 1980) p. 407
  2. А.Н. Вейс, З.М. Дашевский, М.П. Руленко. ФТП, 24, 76 (1990)
  3. А.Н. Вейс, А.Ю. Рыданов, Н.А. Суворова. ФТП, 27, 701 (1993)
  4. И.А. Драбкин, Л.Я. Морговский, И.В. Нельсон, Ю.И. Равич. ФТП, 6, 1323 (1972)
  5. Н.С. Беспалова, А.Н. Вейс, З.М. Дашевский. ФТП, 21, 946 (1987)
  6. Ю.И. Уханов. \it Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  7. W.W. Scanlon. J. Phys. Chem. Sol., 8, 423 (1959)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.