Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb/p-InAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 28 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Впервые обнаружена электролюминесценция в одиночных изотипных разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb/p-InAs и при приложении внешнего электрического поля. Два узких пика люминесценции с полушириной ~ 10-20 мэВ наблюдались при T=77 K в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Спектральное положение и интенсивность пиков изменялись с изменением тока накачки. Интенсивная электролюминесценция наблюдалась вплоть до комнатной температуры. Показано, что такие узкие полосы электролюминесценции обусловлены непрямой туннельной излучательной рекомбинацией пространственно разделенных электронов и дырок, локализованных в глубоких квантовых ямах по разные стороны гетерограницы. Предсказана возможность создания нового перестраиваемого источника инфракрасного излучения, использующего в активной области изотипный разъединенный p-p-гетеропереход II типа.
- A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, A.A. Rogachev, Yu.P. Yakovlev. Superlatt. Microstruct., 8, 375 (1990)
- A.N. Titkov, A.N. Baranov, V.N. Cheban, Yu.P. Yakovlev. \it Proc. XX Int. Conf. Phys. Semicond. (Thessalonki, 1990) v. 2, 985
- М.А. Афраилов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, И.Н. Тимченко, В.В. Шерстнев, И.Н. Яссиевич, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 876 (1990)
- M.P. Mikhailova, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, Yu.P. Yakovlev. SPIE, 1361, 675 (1990)
- А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, Ю.Н. Шерняков, А.А. Рогачев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
- A.N. Titkov, A.N. Baranov, V.N. Cheban, A.A. Rogachev, Yu.P. Yakovlev. JETP Lett., 48, 378 (1988)
- М.Е. Бреслер, А.Н. Титков, Ю.П. Яковлев, Э. Гулициус, И. Освальд, И. Панграц, Т. Шимечек. ФТП, 27, 615 (1993)
- M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
- H.Kromer, G. Griffits. IEEE EL. Dev. Lett., EDL-4, 20 (1983)
- А.Б. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 17, 54 (1991)
- H.K. Choi, S.G. Eglash. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1555 (1991)
- И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, С.Г. Конников, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, О.В. Салата, В.Е. Уманский, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 15, 15 (1989)
- C.L. Chang, L. Esaki. Surf. Sci., 98, 70 (1980)
- G. Dohler. Surf. Sci., 98, 108 (1980)
- M.P. Mikhailova, I.A. Andreev, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. \it Abstracts II Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, June 20--24, 1994) p 82
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1974) с. 209
- Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
- G.G. Zegrya, M.Yu. Mikhailov. \it Abstracts II Int. Symp. Nanostructures: Physics and Techology (St. Petersburg, Russia, June 20--24, 1994) p. 100
- Ф.П. Кесаманлы, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Л.А. Николаева, М.Н. Пивоваров. ФТП, 2, 56 (1968)
- I.V. Kukushkin, K.Von-Klitzing, K. Plog. Phys. Rev. B., 37, 8504 (1988)
- П.Д. Алтухов, А.В. Иванов, Ю.П. Ломасов, А.А. Рогачев. Письма ЖЭТФ, 38B, 5 (1983)
- G.G. Zegrya, P. Voisin, D.K. Nelson, A.N. Starukhin, A.N. Titkov. \it Abstracts II Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersbyrg, Russia, June 20--24, 1994) p. 102
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982). % \editor Редактор В.В. Чалдышев \endeditor %
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
