"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb/p-InAs
Михайлова М.П.1, Зегря Г.Г.1, Моисеев К.Д.1, Тимченко И.Н.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Впервые обнаружена электролюминесценция в одиночных изотипных разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb/p-InAs и при приложении внешнего электрического поля. Два узких пика люминесценции с полушириной ~ 10-20 мэВ наблюдались при T=77 K в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Спектральное положение и интенсивность пиков изменялись с изменением тока накачки. Интенсивная электролюминесценция наблюдалась вплоть до комнатной температуры. Показано, что такие узкие полосы электролюминесценции обусловлены непрямой туннельной излучательной рекомбинацией пространственно разделенных электронов и дырок, локализованных в глубоких квантовых ямах по разные стороны гетерограницы. Предсказана возможность создания нового перестраиваемого источника инфракрасного излучения, использующего в активной области изотипный разъединенный p-p-гетеропереход II типа.
  1. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, A.A. Rogachev, Yu.P. Yakovlev. Superlatt. Microstruct., 8, 375 (1990)
  2. A.N. Titkov, A.N. Baranov, V.N. Cheban, Yu.P. Yakovlev. \it Proc. XX Int. Conf. Phys. Semicond. (Thessalonki, 1990) v. 2, 985
  3. М.А. Афраилов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, И.Н. Тимченко, В.В. Шерстнев, И.Н. Яссиевич, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 876 (1990)
  4. M.P. Mikhailova, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, Yu.P. Yakovlev. SPIE, 1361, 675 (1990)
  5. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, Ю.Н. Шерняков, А.А. Рогачев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
  6. A.N. Titkov, A.N. Baranov, V.N. Cheban, A.A. Rogachev, Yu.P. Yakovlev. JETP Lett., 48, 378 (1988)
  7. М.Е. Бреслер, А.Н. Титков, Ю.П. Яковлев, Э. Гулициус, И. Освальд, И. Панграц, Т. Шимечек. ФТП, 27, 615 (1993)
  8. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  9. H.Kromer, G. Griffits. IEEE EL. Dev. Lett., EDL-4, 20 (1983)
  10. А.Б. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 17, 54 (1991)
  11. H.K. Choi, S.G. Eglash. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1555 (1991)
  12. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, С.Г. Конников, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, О.В. Салата, В.Е. Уманский, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 15, 15 (1989)
  13. C.L. Chang, L. Esaki. Surf. Sci., 98, 70 (1980)
  14. G. Dohler. Surf. Sci., 98, 108 (1980)
  15. M.P. Mikhailova, I.A. Andreev, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. \it Abstracts II Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, June 20--24, 1994) p 82
  16. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1974) с. 209
  17. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  18. G.G. Zegrya, M.Yu. Mikhailov. \it Abstracts II Int. Symp. Nanostructures: Physics and Techology (St. Petersburg, Russia, June 20--24, 1994) p. 100
  19. Ф.П. Кесаманлы, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Л.А. Николаева, М.Н. Пивоваров. ФТП, 2, 56 (1968)
  20. I.V. Kukushkin, K.Von-Klitzing, K. Plog. Phys. Rev. B., 37, 8504 (1988)
  21. П.Д. Алтухов, А.В. Иванов, Ю.П. Ломасов, А.А. Рогачев. Письма ЖЭТФ, 38B, 5 (1983)
  22. G.G. Zegrya, P. Voisin, D.K. Nelson, A.N. Starukhin, A.N. Titkov. \it Abstracts II Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersbyrg, Russia, June 20--24, 1994) p. 102
  23. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982). % \editor Редактор В.В. Чалдышев \endeditor %

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.