Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 4 » Статья стр. 678
<<<>>>
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
Михайлова М.П.1, Андреев И.А.1, Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Моисеев К.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
PDF версия
Впервые получены и изучены гетеропереходы на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (x=0.17, y=0.22), изопериодных с подложкой InAs (100). Исследованы гальваномагнитные, электрические и фотоэлектрические свойства четырех типов гетероструктур N-n-, P-p-, P-n- и N-p-GaInAsSb/InAs, определены значения скачков потенциалов на гетерогранице Delta Ec, Delta Ev и установлены приближенные зонные энергетические диаграммы этих гетеропереходов. Показано, что гетероструктура Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs представляет собой разъединенный гетеропереход II типа. Впервые наблюдалась высокая подвижность электронов (mun=70000 см2/В· с при T=77 K) в канале в одиночном гетеропереходе GaInAsSb/InAs, полученном при выращивании нелегированного слоя четверного твердого раствора на слабо легированной подложке p-InAs.
  1. J.C. de Winter, M.A. Pollack, A.K. Srivastava, J. L. Zyskind. J. Electron. Mater., 14, 729 (1985)
  2. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
  3. Е.А. Бочкарев, Л.М. Долгинов, А.Е. Дракин, Л.В. Дружинина, П.Г. Елисеев, Б.Н. Свердлов, В.А. Скрипкин. Квантовая электроника, 16, 1397 (1986)
  4. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, В.Г. Данильченко, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 12, 1311 (1986)
  5. A.I. Nadezhdinsky. Proc. SPIE, 1724, 3 (1992)
  6. M. Kavaya, Laser Focus World, 1, 27 (1991)
  7. R. Sarkaran, G.A. Antipas. J. Cryst. Growth, 36, 198 (1976)
  8. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Techn., 9, 1279 (1994)
  9. M. Astles, M. Hill, D.J. Williams, P.J. Wrigth, M.L. Young. J. Electron. Mater., 15, 14 (1986)
  10. X. Gong, H. Kan, T. Yamaguchi, I. Susuki, M. Aoyama, M. Kumagava, N.L. Rowell, A. Wang, R. Rinfert. Japan. J. Appl. Phys., 33, 1740 (1994)
  11. Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, И.В. Крюкова, А.Н. Лапшин, В.И. Лескович, Е.В. Матвеенко, М.Г. Мильвидский. Квантовая электрон., 8, 66 (1978)
  12. М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 24, 1397 (1990)
  13. A.G. Milnes, A.Y. Polyakov. Sol. St. Electron. B, 36, 803 (1992)
  14. M.P.S. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  15. G. Dohler. Surf. Sci., 98, 108 (1980)
  16. M. Mebarki, D. Boukredimi. J. Appl. Phys., 73, 2360 (1993)
  17. H. Sakaki, L.L. Chang, R. Iudeke, Chin Au Chang, G.A. Sai-Haldz, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 31, 211 (1977)
  18. M. Mebarki, A. Kadri, H. Mani. Sol. St. Commun., 72, 795 (1989)
  19. N. Nakao, S. Yoshida, S. Gonda. Sol. St. Commun., 49, 663 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme