Михайлова М.П.1, Андреев И.А.1, Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Моисеев К.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Впервые получены и изучены гетеропереходы на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (x=0.17, y=0.22), изопериодных с подложкой InAs (100). Исследованы гальваномагнитные, электрические и фотоэлектрические свойства четырех типов гетероструктур N-n-, P-p-, P-n- и N-p-GaInAsSb/InAs, определены значения скачков потенциалов на гетерогранице Delta Ec, Delta Ev и установлены приближенные зонные энергетические диаграммы этих гетеропереходов. Показано, что гетероструктура Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs представляет собой разъединенный гетеропереход II типа. Впервые наблюдалась высокая подвижность электронов (mun=70000 см2/В· с при T=77 K) в канале в одиночном гетеропереходе GaInAsSb/InAs, полученном при выращивании нелегированного слоя четверного твердого раствора на слабо легированной подложке p-InAs.
- J.C. de Winter, M.A. Pollack, A.K. Srivastava, J. L. Zyskind. J. Electron. Mater., 14, 729 (1985)
- А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
- Е.А. Бочкарев, Л.М. Долгинов, А.Е. Дракин, Л.В. Дружинина, П.Г. Елисеев, Б.Н. Свердлов, В.А. Скрипкин. Квантовая электроника, 16, 1397 (1986)
- И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, В.Г. Данильченко, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 12, 1311 (1986)
- A.I. Nadezhdinsky. Proc. SPIE, 1724, 3 (1992)
- M. Kavaya, Laser Focus World, 1, 27 (1991)
- R. Sarkaran, G.A. Antipas. J. Cryst. Growth, 36, 198 (1976)
- M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Techn., 9, 1279 (1994)
- M. Astles, M. Hill, D.J. Williams, P.J. Wrigth, M.L. Young. J. Electron. Mater., 15, 14 (1986)
- X. Gong, H. Kan, T. Yamaguchi, I. Susuki, M. Aoyama, M. Kumagava, N.L. Rowell, A. Wang, R. Rinfert. Japan. J. Appl. Phys., 33, 1740 (1994)
- Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, И.В. Крюкова, А.Н. Лапшин, В.И. Лескович, Е.В. Матвеенко, М.Г. Мильвидский. Квантовая электрон., 8, 66 (1978)
- М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 24, 1397 (1990)
- A.G. Milnes, A.Y. Polyakov. Sol. St. Electron. B, 36, 803 (1992)
- M.P.S. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
- G. Dohler. Surf. Sci., 98, 108 (1980)
- M. Mebarki, D. Boukredimi. J. Appl. Phys., 73, 2360 (1993)
- H. Sakaki, L.L. Chang, R. Iudeke, Chin Au Chang, G.A. Sai-Haldz, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 31, 211 (1977)
- M. Mebarki, A. Kadri, H. Mani. Sol. St. Commun., 72, 795 (1989)
- N. Nakao, S. Yoshida, S. Gonda. Sol. St. Commun., 49, 663 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.