На основании комплексного исследования электрических и люминесцентных свойств кристаллов n-ZnSe, легированных редкоземельным элементом (Yb), впервые в полупроводниках A^IIB^VI обнаружен ''эффект очистки'' кристаллов от фоновых примесей. Показано, что в начальный момент легирования темпы снижения концентрации доноров и акцепторов сравнимы. Увеличение содержания Yb приводит к более эффективной очистке от донорной примеси, и степень компенсации донорной примеси увеличивается. Установлено, что легирование n-ZnSe иттербием увеличивает интенсивность экситонного излучения, что хорошо согласуется с результатами электрических измерений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.