"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов n-ZnSe, легированных иттербием
Иванова Г.Н.1, Касиян В.А.1, Недеогло Д.Д.1
1Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 8 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

На основании комплексного исследования электрических и люминесцентных свойств кристаллов n-ZnSe, легированных редкоземельным элементом (Yb), впервые в полупроводниках AIIBVI обнаружен ''эффект очистки'' кристаллов от фоновых примесей. Показано, что в начальный момент легирования темпы снижения концентрации доноров и акцепторов сравнимы. Увеличение содержания Yb приводит к более эффективной очистке от донорной примеси, и степень компенсации донорной примеси увеличивается. Установлено, что легирование n-ZnSe иттербием увеличивает интенсивность экситонного излучения, что хорошо согласуется с результатами электрических измерений.
  1. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.Е. Саморуков, Н.А. Струков. ФТП, 22, 147 (1988)
  2. А.Г. Гореленок, В.Г. Груздов, Ракеш Кумар, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 22, 35 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.