"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Дефекты с глубокими уровнями, образующиеся при механической обработке поверхности и импульсной фотонной обработке кремния
Белявский В.И.1, Капустин Ю.А.1, Колокольникова Г.К.1
1Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено, что механическая полировка и импульсная фотонная обработка поверхности кремния приводят к образованию в его приповерхностной области дефектов с глубокими уровнями, имеющими в ряде случаев энергию термоионизации, сечение захвата электронов и температуру отжига такие же, как и A-центры (комплексы кислород--вакансия). На основании анализа спектров сделан вывод о том, что исследованные дефекты являются A-центрами с модифицированными параметрами, которые могут изменяться в зависимости от вида остаточных напряжений, введенных при обработке образцов.
  • М.В. Власова, Н.Г. Какадей. \it Электронный парамагнитный резонанс в механически разрушенных твердых телах (Киев, 1979)
  • T. Wada, T. Mizutani, V. Hirose. J. Phys. Soc. Japan., \bf22, 1060 (1967)
  • В.С. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, В.С. Борисов. Физика и химия обраб. материалов, \bf6, 98 (1985)
  • В.И. Белявский, Ю.А. Капустин. Изв. РАН. Серия физ., \bf57, 50 (1993)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, \bf26, 22 (1992)
  • В.В. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. \it Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., 1990)
  • Ж. Бургуэн, М. Ланно. \it Точечные дефекты в полупроводниках (М., 1985)
  • Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, В.В. Котов, А.В. Медведков. ФТП, \bf24, 871 (1990)
  • Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, А.П. Ровинский, А.М. Черников. Поверхность, вып. 5, 69 (1992)
  • A. Mesli, E. Courcelle, T. Zundel, P. Siffert. Phys. Rev. B, \bf 36, 8049 (1987)
  • J.M. Meese, J.M. Farmer, C.D. Lamp. Phys. Rev. Lett., \bf5, 1286 (1983)
  • C.D. Lamp, J.M. Farmer, J.M. Meese. Rev. Sci. Instrum., \bf55, 210 (1984)
  • А.А. Каплянский. Опт. и спектр., XVI, 602 (1964)
  • G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., \bf121, 1001 (1961)
  • Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, А.А. Свешников, В.П. Злобин. ФТП, \bf22, 1708 (1988)
  • Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, А.А. Свешников. ФТП, \bf24, 318 (1990)
  • V.I. Belyavsky, Yu.A. Kapustin, V.V. Sviridov. Def. Dif. Forum, \bf103, 265 (1993)
  • В.И. Белявский, Ю.А. Капустин, В.В. Свиридов. ФТП, \bf26, 1832 (1992)
  • В.И. Белявский, Ю.А. Капустин, В.В. Свиридов. ФТП, \bf25, 1204 (1991)
  • В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Е.Б. Якимов. ЖЭТФ, \bf73, 1129 (1977)
  • V.A. Grazhulis, V.V. Kveder, V.Yu. Mukhina. Phys. St. Sol. (a), \bf43, 407 (1977)
  • D. Vuillaume, J.C. Bourgoin. Surf. Sci., \bf162, 680 (1985)
  • J.A. van-Vechten, C.D. Thyrmoud. Phys. Rev., \bf14, 3539 (1976)
  • D.V. Lang, H.G. Grimmeiss, E. Meijer, M. Jaros. Phys. Rev. B, \bf22, 3917 (1980)
  • G.A. Samara, C.E. Barnes. Phys. Rev. Lett., \bf57, 2069 (1986)
  • Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., 1981)
  • А.С. Уманский. \it Рентгенография металлов и полупроводников (М., 1969)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.