"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефекты с глубокими уровнями, образующиеся при механической обработке поверхности и импульсной фотонной обработке кремния
Белявский В.И.1, Капустин Ю.А.1, Колокольникова Г.К.1
1Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено, что механическая полировка и импульсная фотонная обработка поверхности кремния приводят к образованию в его приповерхностной области дефектов с глубокими уровнями, имеющими в ряде случаев энергию термоионизации, сечение захвата электронов и температуру отжига такие же, как и A-центры (комплексы кислород--вакансия). На основании анализа спектров сделан вывод о том, что исследованные дефекты являются A-центрами с модифицированными параметрами, которые могут изменяться в зависимости от вида остаточных напряжений, введенных при обработке образцов.
  1. М.В. Власова, Н.Г. Какадей. \it Электронный парамагнитный резонанс в механически разрушенных твердых телах (Киев, 1979)
  2. T. Wada, T. Mizutani, V. Hirose. J. Phys. Soc. Japan., \bf22, 1060 (1967)
  3. В.С. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, В.С. Борисов. Физика и химия обраб. материалов, \bf6, 98 (1985)
  4. В.И. Белявский, Ю.А. Капустин. Изв. РАН. Серия физ., \bf57, 50 (1993)
  5. В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, \bf26, 22 (1992)
  6. В.В. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. \it Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., 1990)
  7. Ж. Бургуэн, М. Ланно. \it Точечные дефекты в полупроводниках (М., 1985)
  8. Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, В.В. Котов, А.В. Медведков. ФТП, \bf24, 871 (1990)
  9. Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, А.П. Ровинский, А.М. Черников. Поверхность, вып. 5, 69 (1992)
  10. A. Mesli, E. Courcelle, T. Zundel, P. Siffert. Phys. Rev. B, \bf 36, 8049 (1987)
  11. J.M. Meese, J.M. Farmer, C.D. Lamp. Phys. Rev. Lett., \bf5, 1286 (1983)
  12. C.D. Lamp, J.M. Farmer, J.M. Meese. Rev. Sci. Instrum., \bf55, 210 (1984)
  13. А.А. Каплянский. Опт. и спектр., XVI, 602 (1964)
  14. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., \bf121, 1001 (1961)
  15. Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, А.А. Свешников, В.П. Злобин. ФТП, \bf22, 1708 (1988)
  16. Ю.А. Капустин, Б.М. Колокольников, А.А. Свешников. ФТП, \bf24, 318 (1990)
  17. V.I. Belyavsky, Yu.A. Kapustin, V.V. Sviridov. Def. Dif. Forum, \bf103, 265 (1993)
  18. В.И. Белявский, Ю.А. Капустин, В.В. Свиридов. ФТП, \bf26, 1832 (1992)
  19. В.И. Белявский, Ю.А. Капустин, В.В. Свиридов. ФТП, \bf25, 1204 (1991)
  20. В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Е.Б. Якимов. ЖЭТФ, \bf73, 1129 (1977)
  21. V.A. Grazhulis, V.V. Kveder, V.Yu. Mukhina. Phys. St. Sol. (a), \bf43, 407 (1977)
  22. D. Vuillaume, J.C. Bourgoin. Surf. Sci., \bf162, 680 (1985)
  23. J.A. van-Vechten, C.D. Thyrmoud. Phys. Rev., \bf14, 3539 (1976)
  24. D.V. Lang, H.G. Grimmeiss, E. Meijer, M. Jaros. Phys. Rev. B, \bf22, 3917 (1980)
  25. G.A. Samara, C.E. Barnes. Phys. Rev. Lett., \bf57, 2069 (1986)
  26. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., 1981)
  27. А.С. Уманский. \it Рентгенография металлов и полупроводников (М., 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.