"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Длинноволновое инфракрасное излучение в n-InSb в сильных электрических полях
Малютенко В.К.1, Булашенко О.М.1, Коллюх А.Г.1, Мороженко В.А.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Экспериментально и теоретически исследовано внутризонное излучение горячих электронов в n-InSb в далекой инфракрасной области спектра (lambda=80/110 мкм, пассивная область энергии) в широком диапазоне температур (15<T<80 K). Проанализировано влияние различных механизмов рассеяния на формирование излучения в кристалле. Показано, что основной вклад в излучение дают электроны с энергией, меньшей энергии оптического фонона, а доминирующим механизмом рассеяния является рассеяние на акустических фононах.
  1. Л.Е. Воробьев, В.И. Стафеев. ФТП, 2, 1045 (1968)
  2. \it Инвертированные распределения горячих электронов в полупроводниках, под ред. А. Андронова и Ю. Пожелы (Горький, ИПФ АН СССР, 1983)
  3. Л.Е. Воробьев. ФТП, 8, 1291 (1974)
  4. А.Г. Коллюх, В.К. Малютенко, В.А. Мороженко. ФТП, \bf 24, 931 (1990)
  5. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., 1986)
  6. C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55, 645 (1983)
  7. \it Электроны в полупроводниках. Т. 1: \it Многодолинные полупроводники, под ред. Ю. Пожелы (Вильнюс, Моксклас, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.