"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Некоторые фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок тиогаллата кадмия
Мак В.Т.1, Ибрагим А.А.1
1Одесский государственный университет им. И.И.Мечникова,, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 16 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Выращены поликристаллические пленки тиогаллата кадмия и исследованы их фотоэлектрические свойства. Установлены три стадии изохронного отжига дефектов, определяющих свойства пленок, и предложены модели происходящих при этом процессов. Обнаружены две полосы оптического гашения фотопроводимости. Обсуждается их природа, а также природа возникающих при отжиге центров примесной фотопроводимости.
  1. В.Т. Мак, В.Е. Буковский, В.И. Стеценко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 27, 457 (1991)
  2. В.М. Славинец, В.М. Головей, Г.Н. Шпырко, М.И. Головей. Монокрист. матер., N 11, 137 (1983)
  3. В.Е. Тазлеван. \it Сложные полупроводники (Кишинев, 1988) с. 163
  4. А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, В.С. Дону, И.М. Тигиняну. \it Тез. докл. II Респ. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982) с. 86
  5. А.Н. Георгобиани, И.М. Тигиняну. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 25, 1880 (1989)
  6. А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, \bf 19, 193 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.