"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H
Курова И.А.1, Лупачева А.Н.1, Мелешко Н.В.1, Ларина Э.В.1
1Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Исследовано влияние теплового отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных бором из газовой фазы. Установлено, что после отжига пленок при Ts<Ta<460 oC (Ta --- температура отжига, Ts --- температура роста) темновая проводимость sigma d и фотопроводимость sigma ph растут, энергия активации sigma d уменьшается. Это, по-видимому, обусловлено увеличением эффективности легирования пленок. Отжиг при Ta>460 oC приводит к уменьшению sigma d и резкому падению sigma ph вследствие разупорядочения структуры пленки, связанного с разрывом Si-H-связей.
  • G.D. Cody, T. Tiedhjie, B. Abelis, B. Brooks. Phys. Rev. Lett., \bf 47, 1480 (1981)
  • J. Stuke. J. Non-Cryst. Sol., 97, 1 (1987)
  • D.K. Biegelsen, R.A. Street, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, \bf 20, 4839 (1979)
  • P. Jensen, R.M. Meandre. J. Phys.: Condens. Matter, \bf 2, 4785 (1990)
  • D.L. Staebler, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., \bf 37, 609 (1980)
  • A.G. Kazanskii, S.V. Kuznetzov. Phys. St. Sol. (b), \bf 168, K19 (1991)
  • R.A. Street, J. Kakalios, C.C. Tsai, T.M. Hayes. Phys. Rev. B. \bf 35, 1316 (1987)
  • J. Kakalios, R.A. Street. Phys. Rev. B, 34, 6014 (1986)
  • О.А. Голикова, М.М. Мездрогина, А.П. Соколов, А.П. Шебанин. ФТП, \bf 26, 960 (1992)
  • S.H. Jang, C. Lee. Phil. Mag. B, 53, 293 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.