"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H
Курова И.А.1, Лупачева А.Н.1, Мелешко Н.В.1, Ларина Э.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Исследовано влияние теплового отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных бором из газовой фазы. Установлено, что после отжига пленок при Ts<Ta<460 oC (Ta --- температура отжига, Ts --- температура роста) темновая проводимость sigma d и фотопроводимость sigma ph растут, энергия активации sigma d уменьшается. Это, по-видимому, обусловлено увеличением эффективности легирования пленок. Отжиг при Ta>460 oC приводит к уменьшению sigma d и резкому падению sigma ph вследствие разупорядочения структуры пленки, связанного с разрывом Si-H-связей.
  1. G.D. Cody, T. Tiedhjie, B. Abelis, B. Brooks. Phys. Rev. Lett., \bf 47, 1480 (1981)
  2. J. Stuke. J. Non-Cryst. Sol., 97, 1 (1987)
  3. D.K. Biegelsen, R.A. Street, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, \bf 20, 4839 (1979)
  4. P. Jensen, R.M. Meandre. J. Phys.: Condens. Matter, \bf 2, 4785 (1990)
  5. D.L. Staebler, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., \bf 37, 609 (1980)
  6. A.G. Kazanskii, S.V. Kuznetzov. Phys. St. Sol. (b), \bf 168, K19 (1991)
  7. R.A. Street, J. Kakalios, C.C. Tsai, T.M. Hayes. Phys. Rev. B. \bf 35, 1316 (1987)
  8. J. Kakalios, R.A. Street. Phys. Rev. B, 34, 6014 (1986)
  9. О.А. Голикова, М.М. Мездрогина, А.П. Соколов, А.П. Шебанин. ФТП, \bf 26, 960 (1992)
  10. S.H. Jang, C. Lee. Phil. Mag. B, 53, 293 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.