Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H

Курова И.А.¹, Лупачева А.Н.¹, Мелешко Н.В.¹, Ларина Э.В.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние теплового отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных бором из газовой фазы. Установлено, что после отжига пленок при T_s<T_a<460 ^oC (T_a - температура отжига, T_s - температура роста) темновая проводимость sigma_d и фотопроводимость sigma_ph растут, энергия активации sigma_d уменьшается. Это, по-видимому, обусловлено увеличением эффективности легирования пленок. Отжиг при T_a>460 ^oC приводит к уменьшению sigma_d и резкому падению sigma_ph вследствие разупорядочения структуры пленки, связанного с разрывом Si-H-связей.

G.D. Cody, T. Tiedhjie, B. Abelis, B. Brooks. Phys. Rev. Lett., \bf 47, 1480 (1981)
J. Stuke. J. Non-Cryst. Sol., 97, 1 (1987)
D.K. Biegelsen, R.A. Street, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, \bf 20, 4839 (1979)
P. Jensen, R.M. Meandre. J. Phys.: Condens. Matter, \bf 2, 4785 (1990)
D.L. Staebler, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., \bf 37, 609 (1980)
A.G. Kazanskii, S.V. Kuznetzov. Phys. St. Sol. (b), \bf 168, K19 (1991)
R.A. Street, J. Kakalios, C.C. Tsai, T.M. Hayes. Phys. Rev. B. \bf 35, 1316 (1987)
J. Kakalios, R.A. Street. Phys. Rev. B, 34, 6014 (1986)
О.А. Голикова, М.М. Мездрогина, А.П. Соколов, А.П. Шебанин. ФТП, \bf 26, 960 (1992)
S.H. Jang, C. Lee. Phil. Mag. B, 53, 293 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель