"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Донорные центры в Cz-Si с примесью магния, введенной методом ядерных трансмутаций
Емцев В.В.1, Полоскин Д.С.1, Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Показано, что реакции трансмутации в кремнии, выращенном по методу Чохральского (Cz-Si) и подвергнутом облучению быстрыми нейтронами, могут быть использованы для легирования примесью магния. Отжиг облученного кремния при высоких температурах приводит к образованию мелких и глубоких донорных центров. Большинство центров, образованных при 700 oC, по всей видимости, представляет собой мелкие термодоноры с включением примесных атомов магния. При более высоких температурах эти мелкие термодоноры отжигаются и возникают другие донорные центры, в состав которых также входит примесь магния.
  • L.T. Ho, A.K. Ramdas., Phys. Rev. B, 5, 462 (1972)
  • A.L. Lin. J. Appl. Phys., 53, 6989 (1982)
  • M. Kleverman, K. Bergman, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Tech., \bf 1, 49 (1968)
  • N.A. Sobolev, E.I. Shek, Shabalin. Sol. St. Commun., \bf 88, 369 (1993)
  • N.A. Sobolev, V.V. Emtsev, W.N. Gresserov, P.M. Klinqer, D.S. Poloskin, E.P. Shabalin, E.I, Shek, Yu.V. Vyzhigin. \it Material Science Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 1994) v. 143--147, p. 129
  • J.S. Blakemore. \it Semiconductor Statistics (Pergamon Press, Oxford, 1962)
  • F.J. Blatt. \it Physics of Electronic Conduction in Solids (McGram-Hill Book Company, 1968)
  • Yu.N. Daluda, V.V. Emtsev, K. Schmalz. Radiat. Eff., \bf 107, 93 (1989)
  • V.V. Emtsev, G.A. Organesyan, K. Schmalz. \it Defect and Diffusion Forum (Scitec Publications Ltd, 1993), v. 103--105, p. 505
  • P. Gaworzewski, K. Schmalz. Phys. St. Sol. (a), \bf 58, K223 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.