Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Донорные центры в Cz-Si с примесью магния, введенной методом ядерных трансмутаций

Емцев В.В.¹, Полоскин Д.С.¹, Соболев Н.А.¹, Шек Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что реакции трансмутации в кремнии, выращенном по методу Чохральского (Cz-Si) и подвергнутом облучению быстрыми нейтронами, могут быть использованы для легирования примесью магния. Отжиг облученного кремния при высоких температурах приводит к образованию мелких и глубоких донорных центров. Большинство центров, образованных при 700 ^oC, по всей видимости, представляет собой мелкие термодоноры с включением примесных атомов магния. При более высоких температурах эти мелкие термодоноры отжигаются и возникают другие донорные центры, в состав которых также входит примесь магния.

L.T. Ho, A.K. Ramdas., Phys. Rev. B, 5, 462 (1972)
A.L. Lin. J. Appl. Phys., 53, 6989 (1982)
M. Kleverman, K. Bergman, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Tech., \bf 1, 49 (1968)
N.A. Sobolev, E.I. Shek, Shabalin. Sol. St. Commun., \bf 88, 369 (1993)
N.A. Sobolev, V.V. Emtsev, W.N. Gresserov, P.M. Klinqer, D.S. Poloskin, E.P. Shabalin, E.I, Shek, Yu.V. Vyzhigin. \it Material Science Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 1994) v. 143--147, p. 129
J.S. Blakemore. \it Semiconductor Statistics (Pergamon Press, Oxford, 1962)
F.J. Blatt. \it Physics of Electronic Conduction in Solids (McGram-Hill Book Company, 1968)
Yu.N. Daluda, V.V. Emtsev, K. Schmalz. Radiat. Eff., \bf 107, 93 (1989)
V.V. Emtsev, G.A. Organesyan, K. Schmalz. \it Defect and Diffusion Forum (Scitec Publications Ltd, 1993), v. 103--105, p. 505
P. Gaworzewski, K. Schmalz. Phys. St. Sol. (a), \bf 58, K223 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель