"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинация через комплексы оборванных связей в аморфном кремнии
Звягин И.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Рассмотрены особенности рекомбинации носителей заряда в аморфном кремнии через комплексы близких оборванных связей, появление которых возможно, в частности, при длительном освещении пленок при температурах ниже комнатной. Показано, что многофононная трехступенчатая рекомбинация, включающая туннельные переходы внутри комплексов, может быть существенно более эффективной, чем двухступенчатая рекомбинация через изолированные оборванные связи.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.