"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эллипсометрическое исследование анодного окисла на твердых растворах Ga1-xAlxAs
Макарова Т.Л.1, Шаронова Л.В.1, Шмарцев Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Эллипсометрическим методом исследованы структуры "анодный окисел-Ga1-xAlxAs" (0=< x=<1). В спектральном диапазоне 4765/6328 Angstrem измерены показатели преломления и коэффициенты экстинкции слоев, составляющих структуру, включая переходный слой на границе раздела между окислом и твердым раствором. Установлено, что зависимость показателя преломления анодного окисла от содержания алюминия в твердом растворе имеет 4 участка: резкие скачки в интервалах 0=< x=<0.05 и 0.87=< x=< 1, постоянство в интервале 0.05=< x=< 0.5 и слабое изменение при 0.5=< x=< 0.87. Переходный слой на гетерофазной границе обладает аномально большим коэффициентом экстинкции, превышающим соответствующие значения для составляющих структуру веществ. Толщина и коэффициент экстинкции переходного слоя увеличиваются с ростом содержания алюминия в твердом растворе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.