"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние особенностей структуры эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe на электрические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении
Мозоль П.Е.1, Гнатюк В.А.1, Сукач А.В.1, Власенко А.И.1, Копишинская Е.П.1, Лукьяненко В.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Проведено комплексное исследование фотоэлектрических и электрических свойств эпитаксиальных слоев Cd_xHg1-xTe с ячеистой структурой при облучении наносекундными импульсами рубинового лазера в широком диапазоне плотности энергии. Показано, что повышение фоточувствительности исследуемых образцов связано с геттерирующими свойствами областей малой разориентации по отношению к электрически активным точечным дефектам. Изменения электрических параметров являются результатом уменьшения количества атомов ртути в междоузлиях вследствие стимулированной лазером десорбции и сегрегации ртути на стоки, а также изменением электронных состояний границ ячеек. При обработке эпитаксиальных слоев с плотностью энергии выше порога плавления увеличивается ширина запрещенной зоны приповерхностной области образцов, что связано с остаточными напряжениями и изменением состава этой области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.