Экспериментально исследована зависимость поглощения излучения диапазона частот 54-78 ГГц германием p-типа с удельным сопростивлением 48-50 Ом · см от концентрации пар электрон-дырка. Концентрация пар увеличивалась током инжекции n⁺-p и p⁺-p-переходов, а также температурой кристалла германия. Показано, что зависимость поглощения излучения от тока инжекции и от температуры при увеличении частоты от 54 до 78 ГГц вначале аномальная, затем изменяющаяся с нормальной на аномальную и далее нормальная. Нормальная зависимость характеризуется увеличением, а аномальная - уменьшением поглощения излучения с ростом концентрации пар электрон-дырка. Аномальный характер зависимости объясняется изменением эффективности взаимодействия излучения с поверхностным потенциальным барьером при увеличении концентрации пар электрон-дырка в объеме германия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.