В работе проанализировано влияние уровня и типа легирования на фотопроводимость пленок alpha-Si : H в области комнатных температур. Показано, что наблюдаемое отличие зависимостей фотопроводимости пленок alpha-Si : H n- и p-типа от уровня легирования и концентрации дефектов может быть связано с различной протяженностью хвостов плотности состояний зоны проводимости и валентной зоны. Большая протяженность хвоста валентной зоны приводит к существенно неравновесному заполнению состояний дефектов в условиях освещения. Вследствие этого концентрация рекомбинационных центров в пленках alpha-Si : H p-типа практически не зависит от уровня легирования и концентрации дефектов и определяется плотностью состояний в хвосте валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.