"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние начального заполнения глубоких центров на положение пика термостимулированного тока в n+-p-переходе с произвольным отношением концентраций мелких и глубоких центров
Урманов Н.А.1, Гафурова М.В.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.