"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
Емцев В.В.1, Оганесян Г.А.1, Шмальц К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Институт физики полупроводников, Франкфурт (Одер), ФРГ
Поступила в редакцию: 20 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Приведены экспериментальные данные, относящиеся к процессам кластеризации кислорода, а также к процессам образования и отжига A-центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского (Cz-Si). Эти результаты могут быть качественно объяснены на основе представлений о наличии двух типов микронеоднородностей в распределении кислорода в исходном материале. Тип доминирующих неоднородностей определяется содержанием кислорода в исходном Cz-Si по отношению к критической концентрации этой примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.