"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование двойных термодоноров в Cz-Si с различной концентрацией кислорода
Емцев В.В.1, Машовец Т.В.1, Оганесян Г.А.1, Шмальц К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников, Франкфурт (Одер), ФРГ
Поступила в редакцию: 20 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Исследована зависимость начальной скорости образования двойных термодоноров в кремнии, выращенном по методу Чохральского, от исходной концентрации кислорода NOoxy. Термообработка проводилась при 450oC. Анализ оригинальных и литературных данных позволяет заключить, что эта скорость по-разному зависит от NOoxy при разных концентрациях кислорода. При низких значениях NOoxy (=<sssim 8· 1017 см-3) скорость образования термодоноров растет практически линейно с ростом NOoxy, в то время как при NOoxy>~=8·1017 см-3 она пропорциональна (NOoxy)4. Предполагается, что этот эффект обусловлен изменением характера распределения кислорода в исходных материалах вблизи критической концентрации кислорода (около 7· 1017 см-3).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.