"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Усиление фототока в диодных структурах Pd-SiO2-n(p)-Si
Слободчиков С.В.1, Ковалевская Г.Г.1, Пенцов А.В.1, Салихов X.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.