"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационное воздействие дейтронов на приемники излучения из высокоомного кремния
Вербицкая Е.М.1, Еремин В.К.1, Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Исследованы радиационные дефекты, возникающие после дейтронного облучения в приемниках излучений на основе высокоомного n-Si. Проведено сравнение результатов дейтронного и alpha-облучений. Показана возможность снижения обратного тока облученных детекторов при отжиге. Обсуждается возможность объяснения наблюдаемых эффектов с помощью представлений о сложных многокомпонентных комплексах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.