"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экситонная фотолюминесценция приповерхностных квантовых ям в системе GaAs/AlGaAs
Астратов В.Н.1, Власов Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция квантовых ям, расположенных на малых расстояниях от поверхности структуры, варьируемых в диапазоне 0-500 Angstrem. Толщина барьерного слоя, отделяющего квантовую яму от поверхности, уменьшалась травлением. При толщинах барьера, меньших 300 Angstrem, обнаружен длинноволновый сдвиг (до 12 мэВ для ямы шириной 50 Angstrem) и тушение (до 1/10-4) линии фотолюминесценции. Установлены зависимости длинноволнового сдвига от толщины барьера и ширины ямы, а также от интенсивности фотовозбуждения. Показано, что механизм влияния поверхности на фотолюминесценцию квантовых ям определяется квантово-размерным эффектом Штарка, связанным с приповерхностным изгибом зон. Тушение фотолюминесценции объясняется индуцированным электрическим полем, туннелированием носителей из ямы, их дрейфом и безызлучательной рекомбинацией на поверхности. Разработан новый, с высоким разрешением (~10Angstrem), метод измерения распределения поля, использующий квантовую яму (при ее расположении на различных расстояниях от поверхности) в качестве оптического детектора напряженности поля; найдены основные параметры обедненного слоя в барьере в условиях сильного облучения: толщина ~ 500 Angstrem, плотность заряда ~1017 см-3, изгиб зон ~0.35 эВ. Полученные данные существенны для понимания электронных процессов, протекающих в квантовых нитях и точках, полученных травлением планарных структур, в частности, они позволяют объяснить явление тушения фотолюминесценции, наблюдающееся при уменьшении размеров подобных наноструктур влиянием приповерхностных электрических полей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.