"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Энергетическая зависимость параметров поляризации горячей фотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами
Мирлин Д.Н.1, Сапега В.Ф.1, Сиренко А.А.1, Кардона М.1, Плоог К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Max-Planck Institut fur Festkorperforschung, Stuttgart, FRG
Поступила в редакцию: 30 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Исследованы энергетические зависимости степени линейной rhol и циркулярной rhoc поляризаций фотолюминесцении горячих электронов в структурах с квантовыми ямами в системе GaAs/AlGaAs. Наблюдались быстрый рост rho0l и падение rho0c при рекомбинации из точки рождения с увеличением начальной энергии электронов E0. В соответствии с теорией И.А. Меркулова, В.И. Переля, М.Е. Портного [ЖЭТФ, 99, 1202 (1991)] такой ход rho0l(E0) и rho0c(E0) обусловлен смешиванием состояний подзон тяжелых и легких дырок. Деполяризация горячей фотолюминесценции двумерных электронов (уменьшение rhol) при испускании ими LO-фононов происходит гораздо сильнее, чем в трехмерном случае. Угловая зависимость rhol, обусловленная гофрировкой валентной зоны, оказывается в двумерном случае гораздо более выраженной по сравнению со случаем объемных кристаллов арсенида галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.