"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Численный расчет нестационарных характеристик в вертикальных полевых фототранзисторах на основе GaAs
Абашкина С.А.1, Корольков В.И.1, Римшанс Я.С.1, Скрыль Ю.И.1, Табаров Т.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Представлены результаты расчета фототока, распределений потенциальной энергии, времен установления стационарного состояния и коэффициентов усиления вертикального полевого транзистора на основе GaAs со скрытым затвором для небольших мощностей света (P~10-4 Вт). Расчеты велись для разных значений напряжений на затворе, задающего потенциальный барьер для электронов. Показано, что в случаях как малого, так и большого потенциального барьера времена установления стационарного фототока составляют величину в несколько наносекунд и зависят от напряжения на затворе. С увеличением напряжения на затворе растет быстродействие, но при этом одновременно уменьшается фототок структуры. Уменьшение фототока при больших напряжениях на затворе вызывает спад усилительных свойств структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.