"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние примесей галогенов на перенос носителей заряда в стеклообразных полупроводниках системы Se-As
Казакова Л.П.1, Лебедев Э.А.1, Исаев А.И.1, Мехтиева С.И.1, Захарова Н.Б.1, Ятлинко И.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Исследовано влияние примесей галогенов I, Br, Cl на перенос носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках состава Se100-xAsx c x=2/10. Установлено, что примеси Br и Cl при концентрации 10-3/10-2 ат% сильно увеличивают дрейфовую подвижность носителей заряда. Подвижность дырок возрастает на четыре порядка. При этом проводимость увеличивается на порядок и сохраняется высокая кристаллизационная устойчивость материала. Анализ экспериментальных данных показывает, что изменение концентрации собственных заряженных состояний, контролирующих величину дрейфовой подвижности, при введении примесей галогенов связано как с образованием примесных заряженных состояний, так и с уменьшением концентрации исходных нейтральных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.