"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAsP<Zn>
Сукач И.А.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 августа 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.