"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование статических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур GaAs/AlAs
Игнатьев А.С.1, Каменев А.В.1, Копылов В.Б.1, Немцев Г.3.1, Посвянский Д.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 октября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе гетероструктур GaAs/AlAs изготовлены резонансно-туннельные диоды (РТД), исследованы их статические ВАХ. Обнаружены различия в характере ВАХ РТД, изготовленных на идентичных гетероэпитаксиальных структурах. Предложена эквивалентная схема РТД. В рамках этой модели рассчитаны ВАХ РТД в различных условиях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.