"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние подвижных дефектов на характеристики контакта металл-полупроводник в кристаллах CdS
Дроздова И.А.1, Ембергенов Б.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Показано, что в кристаллах CdS, содержащих подвижные дефекты, характеристики электрических контактов изменяются со временем. При этом омический контакт ухудшается, а сопротивление неомического (выпрямляющего) контакта и величина фотоэдс на этом контакте падают, это обусловлено дрейфом подвижных дефектов в поле либо обогащающего, либо истощающего изгиба зон, создаваемого электродом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.