"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов InP<Sn>
Джумамухамбетов Н.Г.1, Дмитриев А.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Изучена температурная зависимость в интервале 77-300 K спектров фотолюминесценции модифицированных лазерным излучением кристаллов InP<Sn>. Установлено, что полоса с максимумом на 1.35 эВ, возникшая в модифицированных кристаллах, обусловлена излучательной рекомбинацией через хвосты плотности состояний, которые появляются в результате хаотического распределения дефектов и примесей после лазерного воздействия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.