"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние процесса газофазной эпитаксии на скопления электрически активных дефектов в подложках из GaAs<Cr>
Калинушкин В.П.1, Юрьев В.А.1, Мурин Д.И.1, Плоппа М.Г.1, Тимо Т.В.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия Институт электронной физики, Берлин, Германия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.