"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельный эффект как причина тока, ограниченного контактной эмиссией в гетероструктуре In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In
Беляев А.П.1, Рубец В.П.1, Тошходжаев X.А.1, Калинкин И.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.