"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Теория фотогальванических эффектов в n-GaP
Расулов Р.Я.1, Сидикова X.1, Ганиев У.1
1Ферганский государственный педагогический институт им. Улугбека,, Фергана, Узбекистан
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Теоретически рассматриваются фотонный механизм баллистического и сдвигового линейных фотогальванических эффектов, обусловленный асимметрией вероятности оптических переходов между подзонами X1 и X3 в n-GaP с участием длинноволновых фононов и сдвигом носителей тока в реальном пространстве при квантовых переходах соответственно. Исследован эффект увлечения электронов фотонами в n-GaP, обусловленный непрямыми межподзонными оптическими переходами с учетом импульса фотона. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.