"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
Мурель А.В.1, Новиков А.В.1, Шашкин В.И.1, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Экспериментально исследована возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки на кремниевых структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что управление возможно как при использовании сильно легированных поверхностных однородных (3D) слоев (~1020 см-3), так и приповерхностных (2D) delta-слоев (~1013 см-2), обеспечивающих туннельное прохождение тока через барьер на границе металл--полупроводник. Изучены зависимости эффективной высоты барьера от параметров сильно легированных слоев. Проведенное моделирование электронного транспорта в структурах позволило качественно объяснить наблюдаемые экспериментальные результаты.
  1. V.I. Shashkin, Y.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin. Int. J. Infr. Milliwaves, 28, 945 (2007)
  2. T. Hariu, Y. Shibata. Proc. IEEE, 63, 1523 (1975)
  3. H.J. Gossmann, E.F. Schubert. Critical Rev. Solid State and Mater. Sci., 18, 1 (1993)
  4. В.И. Шашкин, А.В. Мурель. Микроэлектроника, 39, 348 (2010)
  5. D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 109, 113 533 (2011)
  6. I.H. Tan, G.L. Snider, E.L. Hu. J. Appl. Phys., 68, 4071 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.