Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
Поступила в редакцию: 11 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.
Исследованы спектры лазерной генерации и ватт-амперные характеристики в широком диапазоне накачки лазеров на основе InAs/InGaAs квантовых точек, модулированно легированных примесью p-типа. Показано, что p-легирование приводит к существенному увеличению порога генерации на возбужденном оптическом переходе и позволяет получить большую мощность на основном переходе по сравнению с "нелегированными" лазерами. Предложено объяснение особенностей двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках.
- O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 80 (18), 3277 (2002)
- S. Fathpour, Z. Mi, P. Bhattacharya, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, N.N. Ledentsov. Appl. Phys. Lett., 85 (22), 5164 (2004)
- S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 340 (2005)
- M. Ishida, N. Hatori, K. Otsubo, T. Yamamoto, Y. Nakata, H. Ebe, M. Sugawara, Y. Arakawa. Electron. Lett., 43 (4), 219 (2007)
- D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, A. Ramdane, J.-G. Provost, M. Fischer, I. Krestnikov, A. Kovch. Appl. Phys. Lett., 92(19), 191 109 (2008)
- A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 18 (8), 774 (2003)
- A. Markus, J.X. Chen, O. Gauthier-Lafaye, J.-G. Provost, C. Paranthoen, A. Fiore. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9 (5), 1308 (2003)
- А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, А.В. Савельев, Ф.И. Зубов, В.В. Клименко. ФТП, 46 (2), 241 (2012)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 661 (2000)
- M. Sugawara, K. Mukai, H. Shoji. Appl. Phys. Lett., 71 (19) 2791 (1997)
- E.A. Viktorov, P. Mandel, Y. Tanguy, J. Houlihan, G. Huyet. Appl. Phys. Lett., 87 (5), 053 113 (2005)
- L.V. Asryan, R.A. Suris, Semicond. Sci. Technol., 11 (4), 554 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
