Вышедшие номера
Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
Шерняков Ю.М.1, Максимов М.В.1,2, Жуков А.Е.1,2, Савельев А.В.2, Коренев В.В.2, Зубов Ф.И.2, Гордеев Н.Ю.1,2, Лившиц Д.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
Поступила в редакцию: 11 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Исследованы спектры лазерной генерации и ватт-амперные характеристики в широком диапазоне накачки лазеров на основе InAs/InGaAs квантовых точек, модулированно легированных примесью p-типа. Показано, что p-легирование приводит к существенному увеличению порога генерации на возбужденном оптическом переходе и позволяет получить большую мощность на основном переходе по сравнению с "нелегированными" лазерами. Предложено объяснение особенностей двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках.